四探針檢測(cè)儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

四探針測(cè)試儀四探針檢測(cè)儀四探針測(cè)定儀/四探針電阻率測(cè)定儀型號(hào)：HARTS-8

HARTS-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的，用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的用儀器。

產(chǎn)品型號(hào)：HARTS-8

更新時(shí)間：2018-06-28

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量：582

產(chǎn)品咨詢(xún) 15811023934

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CLASSIFICATION

其他專(zhuān)用儀器

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四探針測(cè)試儀 四探針檢測(cè)儀 四探針測(cè)定儀/四探針電阻率測(cè)定儀型號(hào)：HARTS-8

HARTS-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的，用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的用儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了新電子行、裝配。具有能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、度、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

四探針檢測(cè)儀　術(shù)　　標(biāo) ：

測(cè)量范圍	電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴(kuò)展)；方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴(kuò)展)；電導(dǎo)率：10^-5～10⁵ s/cm；電阻：10^-5～10⁵ Ω；
可測(cè)晶片直徑	140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； 200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))； 400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；
恒源	電量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 ( 按JJG508-87行)	0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口	并口，速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。連接電腦使用時(shí)帶自動(dòng)測(cè)量能，自動(dòng)選擇適合樣品測(cè)試電量程；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無(wú)頻干擾；無(wú)強(qiáng)光直射；